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2014 | [2014] E-Beam을 이용한 패턴 미세 오정렬(Overlay) 측정장치 개발

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작성자 관리자 작성일18-03-09 12:01 조회32회 댓글0건

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E-Beam을 이용한 패턴 미세 오정렬(Overlay)
측정장치 개발
E-Beam Overlay System for Semiconductor Process Development
PROJECT FINISH2012~2014년
반도체소자의 제조공정은 수 십 개의 서로 다른 종류의 막(layer)들에 패턴을 형성, 적층하는 과정으로 구성된다.
<그림 1> 반도체소자 제조공정의 흐름도
 
반도체소자가 고안된 전기적 사양으로 동작하기 위하여 각 층(layer)에 형성된 패턴들이 설계된 의도대로 정렬(Layer-to-Layer Alignment) 되가 전하가 누설없이 이동할 수 있어야 한다. 하지만 설계 한도(Overlay Budget)를 넘어 패턴간의 오정렬(Misalignment)이 발생될 경우 작동이 불가능하게 된다.
<그림 2> 상부막과 하부막 패턴에서 미세 오정렬이 발생된 예
 
<그림 3> 오정렬 값 계측
 

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