최근 수 년 동안 반도체 산업의 경우 반도체 생산공정의 핵심인 리소그래피 공정에서 임계선폭을 최소화 하는 노력을 기울여왔는데 대부분의 연구들이 DUV(Deep Ultra Violet 193nm) 및 EUV (Extreme Ultraviolet, 13.5nm) 광원을 사용하는 등 높은 개구수와 짧은 파장을 사용하여 광학 분해능을 높이는데 초점을 맞췄습니다. 특히 EUV의 경우 7nm 공정에 적용되어 양산이 진행중에 있습니다. 이와같이 반도체 관련 공정기술의 급속한 발전으로 형성되는 패턴은 수 nm 급까지 미세화 및 집적화가 진행되고 있으며, 반도체 칩의 대량생산과 공정의 안정성 확보를 위하여 빠르고 안정적인 nm 급의 측정 및 계측기술은 매우 중요합니다. 이로 인한 현상으로 기하광학 연구실에서는 반도체 검사 광학계를 구성하여 웨이퍼 측정 및 광학 시뮬레이션을 진행하고 있습니다.